通用晶体管( NPN硅) General Purpose TransistorNPN Silicon
集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| 50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| 45V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| 100mA/0.1A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 300MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 200~450 管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage| 210mV/0.21V 耗散功率PcPower Dissipation| 300mW/0.3W Description & Applications| Features • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant 描述与应用| 特点 •这些器件是无铅,无卤素,无BFR,并符合RoHS
得捷:
TRANS NPN 45V 0.1A SOT23-3
贸泽:
Bipolar Transistors - BJT 100mA 50V NPN
艾睿:
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R
Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R
额定电压DC 45.0 V
额定电流 100 mA
极性 NPN
耗散功率 225 mW
增益频宽积 300 MHz
击穿电压集电极-发射极 45 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 200 @2mA, 5V
额定功率Max 300 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-23-3
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.94 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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BCW72LT1 ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
BCW72LT1G 安森美 | 类似代替 | BCW72LT1和BCW72LT1G的区别 |
BCW72,215 安世 | 功能相似 | BCW72LT1和BCW72,215的区别 |
BCW72,235 恩智浦 | 功能相似 | BCW72LT1和BCW72,235的区别 |