BC847BPDXV6T1参数规格_中文资料_数据手册PDF

BC847BPDXV6T1概述

双路通用晶体管 Dual General Purpose Transistor

- 双极 BJT - 阵列 NPN，PNP 45V 100mA 100MHz 500mW 表面贴装型 SOT-563

得捷:
TRANS NPN/PNP 45V 0.1A SOT563

艾睿:
Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 6-Pin SOT-563 T/R

Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 6-Pin SOT-563 T/R

BC847BPDXV6T1中文资料参数规格

技术参数

额定电流 100 mA

极性 NPN+PNP

击穿电压集电极-发射极 45 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 200 @2mA, 5V

额定功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-563

外形尺寸

封装 SOT-563

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买BC847BPDXV6T1

型号： BC847BPDXV6T1

描述：双路通用晶体管 Dual General Purpose Transistor

替代型号BC847BPDXV6T1

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
BC847BPDXV6T1 ON Semiconductor 安森美	当前型号	当前型号
BC847BPDXV6T5G 安森美	完全替代	BC847BPDXV6T1和BC847BPDXV6T5G的区别
BC847BPDXV6T5 安森美	完全替代	BC847BPDXV6T1和BC847BPDXV6T5的区别
BC847BPDXV6T1G 安森美	功能相似	BC847BPDXV6T1和BC847BPDXV6T1G的区别