BC639参数规格_中文资料_数据手册PDF

BC639概述

NPN外延硅晶体管 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

Bipolar BJT Transistor NPN 80V 1A 200MHz 625mW Through Hole TO-92-3

得捷:
TRANS NPN 80V 1A TO92

艾睿:
Trans GP BJT NPN 80V 1A 3-Pin TO-92 Bulk

Verical:
Trans GP BJT NPN 80V 1A 3-Pin TO-92 Bulk

Win Source:
TRANS NPN 80V 1A TO-92

BC639中文资料参数规格

技术参数

频率 100 MHz

额定电压DC 80.0 V

额定电流 1.00 A

极性 NPN

耗散功率 1 W

击穿电压集电极-发射极 80 V

最小电流放大倍数hFE 40 @150mA, 2V

额定功率Max 1 W

耗散功率Max 1 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-92-3

外形尺寸

封装 TO-92-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买BC639

型号： BC639

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：NPN外延硅晶体管 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

替代型号BC639