通用晶体管（ NPN硅） General Purpose TransistorsNPN Silicon
集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| 50V
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集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| 45V
集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| 100mA/0.1A
截止频率fTTranstion FrequencyfT| 100MHz
直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 200~450
管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 200~600 mV
耗散功率PcPower Dissipation| 300mW/0.3W
Description & Applications| General Purpose Transistors NPN Silicon Features • Moisture Sensitivity Level: 1 • ESD Rating − Human Body Model: >4000 V ESD Rating − Machine Model: >400 V • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant
描述与应用| 通用 NPN硅 特点 •湿度敏感度等级：1 •ESD额定值 - 人体模型：>4000 V ESD额定值 - 机器型号：> 400 V •这些器件是无铅，无卤素，无 BFR
额定电压DC 45.0 V
额定电流 100 mA
极性 N-Channel
耗散功率 225 mW
集电极击穿电压 50.0 V min
击穿电压集电极-发射极 45 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 200 @2mA, 5V
额定功率Max 225 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-23-3
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.94 mm
封装 SOT-23-3
产品生命周期 Unknown
包装方式 Cut Tape CT
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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BC847BLT1 ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
BC847BLT1G 安森美 | 类似代替 | BC847BLT1和BC847BLT1G的区别 |
BC847BLT3G 安森美 | 类似代替 | BC847BLT1和BC847BLT3G的区别 |
SBC847BLT1G 安森美 | 类似代替 | BC847BLT1和SBC847BLT1G的区别 |