PNP外延硅晶体管 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
Switching and Amplifier Applications
• Low Noise: BC309
贸泽:
Bipolar Transistors - BJT PNP Si Transistor Epitaxial
艾睿:
Trans GP BJT PNP 25V 0.1A 3-Pin TO-92 Bulk
额定电压DC -25.0 V
额定电流 -100 mA
耗散功率 0.5 W
增益频宽积 130 MHz
击穿电压集电极-发射极 25 V
最小电流放大倍数hFE 380 @2mA, 5V
最大电流放大倍数hFE 800
额定功率Max 500 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-92-3
长度 4.58 mm
宽度 3.86 mm
高度 4.58 mm
封装 TO-92-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
BC308C Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
MPSW56 飞兆/仙童 | 功能相似 | BC308C和MPSW56的区别 |
BC212B Continental Device | 功能相似 | BC308C和BC212B的区别 |
BC212 Continental Device | 功能相似 | BC308C和BC212的区别 |