BJT 800mA 50V PNP
Bipolar BJT Transistor PNP 45V 800mA 260MHz 625mW Through Hole TO-92-3
得捷:
TRANS PNP 45V 0.8A TO92
贸泽:
Bipolar Transistors - BJT 800mA 50V PNP
艾睿:
Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 1500mW 3-Pin TO-92 T/R
Verical:
Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 3-Pin TO-92 T/R
Win Source:
TRANS PNP 45V 0.8A TO-92
额定电压DC -45.0 V
额定电流 -800 mA
极性 PNP
耗散功率 625 mW
增益频宽积 260 MHz
击穿电压集电极-发射极 45 V
集电极最大允许电流 0.8A
最小电流放大倍数hFE 100 @100mA, 1V
额定功率Max 625 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 1500 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-92-3
长度 5.2 mm
宽度 4.19 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-92-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Cut Tape CT
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
BC327RL1G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
BC32716TA 飞兆/仙童 | 功能相似 | BC327RL1G和BC32716TA的区别 |
BC32740TA 飞兆/仙童 | 功能相似 | BC327RL1G和BC32740TA的区别 |
BC327-40BK Diotec Semiconductor | 功能相似 | BC327RL1G和BC327-40BK的区别 |