BCY59VIII

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BCY59VIII概述

Trans GP BJT NPN 45V 0.2A 3Pin TO-18

Bipolar BJT Transistor NPN 45V 200mA 200MHz 390mW Through Hole TO-18


得捷:
TRANS NPN 45V 0.2A TO18


艾睿:
Trans GP BJT NPN 45V 0.2A 390mW 3-Pin TO-18 Bag


Win Source:
TRANS NPN 45V 0.2A TO-18


BCY59VIII中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 42.0 V

额定电流 100 mA

击穿电压集电极-发射极 45 V

最小电流放大倍数hFE 180 @2mA, 5V

额定功率Max 390 mW

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 390 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-18

外形尺寸

封装 TO-18

物理参数

材质 Silicon

工作温度 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买BCY59VIII
型号: BCY59VIII
描述:Trans GP BJT NPN 45V 0.2A 3Pin TO-18
替代型号BCY59VIII
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

BCY59VIII

ST Microelectronics 意法半导体

当前型号

当前型号

BCY59VIIILEADFREE

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