BC858CDW1T1G

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BC858CDW1T1G概述

双路通用晶体管 Dual General Purpose Transistors

These transistors are designed for general purpose amplifier applications. They are housed in the SOT−363/SC−88 which is designed for low power surface mount applications.

Features

• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant


得捷:
TRANS 2PNP 30V 0.1A SOT363


艾睿:
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 6-Pin SC-88 T/R


Win Source:
TRANS 2PNP 30V 0.1A SOT363


BC858CDW1T1G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -30.0 V

额定电流 -100 mA

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 30 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 420 @2mA, 5V

额定功率Max 380 mW

耗散功率Max 380 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-363

外形尺寸

封装 SOT-363

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BC858CDW1T1G
型号: BC858CDW1T1G
描述:双路通用晶体管 Dual General Purpose Transistors
替代型号BC858CDW1T1G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

BC858CDW1T1G

ON Semiconductor 安森美

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完全替代

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