BC556

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BC556概述

PNP外延硅晶体管 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

Bipolar BJT Transistor PNP 65V 100mA 150MHz 500mW Through Hole TO-92-3


得捷:
TRANS PNP 65V 100MA TO92-3


艾睿:
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 3-Pin TO-92 Bulk


Verical:
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 3-Pin TO-92 Bulk


BC556中文资料参数规格
技术参数

频率 150 MHz

额定电压DC -65.0 V

额定电流 -100 mA

极性 PNP, P-Channel

耗散功率 0.5 W

击穿电压集电极-发射极 65 V

最小电流放大倍数hFE 110 @2mA, 5V

额定功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-226-3

外形尺寸

封装 TO-226-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

BC556引脚图与封装图
BC556引脚图
BC556封装焊盘图
在线购买BC556
型号: BC556
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:PNP外延硅晶体管 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
替代型号BC556
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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当前型号

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