BC859AMTF概述
PNP外延硅晶体管 PNP Epitaxial Silicon Transistor
Features
• Switching and Amplifier Applications
• Suitable for automatic insertion in thick and thin-film circuits
• Low Noise: BC859, BC860
• Complement to BC846 ... BC850
艾睿:
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R
Win Source:
TRANS PNP 30V 0.1A SOT-23
BC859AMTF中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -30.0 V
额定电流 -100 mA
极性 PNP
击穿电压集电极-发射极 30 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 110 @2mA, 5V
最大电流放大倍数hFE 800
额定功率Max 310 mW
耗散功率Max 310 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-23-3
外形尺寸
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
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