BC558BBU参数规格_中文资料_数据手册PDF

BC558BBU概述

Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 3Pin TO-92 Bulk

Bipolar BJT Transistor PNP 30V 100mA 150MHz 500mW Through Hole TO-92-3

得捷:
TRANS PNP 30V 100MA TO92-3

贸泽:
Bipolar Transistors - BJT TO-92 PNP GP AMP

艾睿:
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 3-Pin TO-92 Bulk

BC558BBU中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -30.0 V

额定电流 -100 mA

极性 PNP

耗散功率 0.5 W

增益频宽积 150 MHz

击穿电压集电极-发射极 30 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 200 @2mA, 5V

额定功率Max 500 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 65 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-226-3

外形尺寸

长度 5.2 mm

宽度 4.19 mm

高度 5.33 mm

封装 TO-226-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买BC558BBU

型号： BC558BBU

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 3Pin TO-92 Bulk

替代型号BC558BBU