BCP53T1参数规格_中文资料_数据手册PDF

BCP53T1概述

中功率PNP硅高电流晶体管的表面贴装 MEDIUM POWER PNP SILICON HIGH CURRENT TRANSISTOR SURFACE MOUNT

Bipolar BJT Transistor PNP 80 V 1.5 A 50MHz 1.5 W Surface Mount SOT-223 TO-261

得捷:
TRANS PNP 80V 1.5A SOT223

贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT 1.5A 100V PNP

艾睿:
Trans GP BJT PNP 80V 1.5A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R

Verical:
Trans GP BJT PNP 80V 1.5A 4-Pin 3+Tab SOT-223 T/R

BCP53T1中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -80.0 V

额定电流 -15.0 A

极性 PNP

耗散功率 1.5 W

击穿电压集电极-发射极 80 V

集电极最大允许电流 1.5A

最小电流放大倍数hFE 40 @150mA, 2V

额定功率Max 1.5 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-261-4

外形尺寸

长度 6.5 mm

宽度 3.5 mm

高度 1.57 mm

封装 TO-261-4

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买BCP53T1

型号： BCP53T1

制造商： ON Semiconductor 安森美

描述：中功率PNP硅高电流晶体管的表面贴装 MEDIUM POWER PNP SILICON HIGH CURRENT TRANSISTOR SURFACE MOUNT

替代型号BCP53T1