SOT-223 PNP 60V 1A
Bipolar BJT Transistor PNP 60V 1A 125MHz 2W Surface Mount PG-SOT223-4
得捷:
TRANS PNP 60V 1A SOT223-4
艾睿:
Trans GP BJT PNP 60V 1A 2000mW Automotive 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R
极性 PNP
击穿电压集电极-发射极 60 V
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 2V
额定功率Max 2 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 2000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 TO-261-4
封装 TO-261-4
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
BCP5216E6327HTSA1 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
BCP52-16E6327 英飞凌 | 完全替代 | BCP5216E6327HTSA1和BCP52-16E6327的区别 |
BCP52-16 英飞凌 | 类似代替 | BCP5216E6327HTSA1和BCP52-16的区别 |
BCP52-16,115 恩智浦 | 功能相似 | BCP5216E6327HTSA1和BCP52-16,115的区别 |