BCW65ALT1

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BCW65ALT1概述

通用晶体管( NPN硅) General Purpose TransistorsNPN Silicon

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO | 60V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO | 32V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC | 0.8A 截止频率fTTranstion FrequencyfT | 100MHZ 直流电流增益hFEDC Current GainhFE | 35~250 管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage | 0.7 耗散功率PcPower Dissipation | 0.225W 描述与应用 |


得捷:
TRANS NPN 32V 0.8A SOT23-3


艾睿:
Trans GP BJT NPN 32V 0.8A 3-Pin SOT-23 T/R


BCW65ALT1中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 32.0 V

额定电流 800 mA

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 32 V

集电极最大允许电流 0.8A

最小电流放大倍数hFE 100 @100mA, 1V

额定功率Max 225 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买BCW65ALT1
型号: BCW65ALT1
描述:通用晶体管( NPN硅) General Purpose TransistorsNPN Silicon
替代型号BCW65ALT1
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

BCW65ALT1

ON Semiconductor 安森美

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BCW65ALT1和BCW65ALT1G的区别

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