BC858AWT1参数规格_中文资料_数据手册PDF

BC858AWT1概述

通用晶体管（ PNP硅） General Purpose TransistorsPNP Silicon

Bipolar BJT Transistor PNP 30V 100mA 100MHz 150mW Surface Mount SC-70-3 SOT323

得捷:
TRANS PNP 30V 0.1A SC70-3

贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT 100mA 30V PNP

艾睿:
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 3-Pin SC-70 T/R

BC858AWT1中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -30.0 V

额定电流 -100 mA

极性 PNP

耗散功率 150 mW

击穿电压集电极-发射极 30 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 125 @2mA, 5V

额定功率Max 150 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SC-70-3

外形尺寸

长度 2.1 mm

宽度 1.24 mm

高度 0.85 mm

封装 SC-70-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买BC858AWT1

型号： BC858AWT1

描述：通用晶体管（ PNP硅） General Purpose TransistorsPNP Silicon

替代型号BC858AWT1