BSV52LT1参数规格_中文资料_数据手册PDF

BSV52LT1概述

开关晶体管 Switching Transistor

Bipolar BJT Transistor NPN 12V 100mA 400MHz 225mW Surface Mount SOT-23-3 TO-236

得捷:
TRANS NPN 12V 0.1A SOT23-3

艾睿:
Trans GP BJT NPN 12V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R

Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 12V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R

BSV52LT1中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 12.0 V

额定电流 200 mA

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 12 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 40 @10mA, 1V

额定功率Max 225 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

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型号： BSV52LT1

描述：开关晶体管 Switching Transistor

替代型号BSV52LT1