SOT-93 NPN 100V 10A
- 双极 BJT - 单 NPN - 达林顿 100 V 10 A - 3 W 通孔 SOT-93
得捷:
TRANS NPN DARL 100V 10A SOT93
贸泽:
Bipolar Transistors - BJT 100V 10A NPN
艾睿:
Trans GP BJT NPN 100V 10A 3-Pin3+Tab SOT-93
安富利:
Trans GP BJT NPN 100V 10A 3-Pin3+Tab SOT-93
TME:
Transistor: bipolar, NPN; 100V; 10A; 80W; SOT93
频率 3 MHz
额定功率 80 W
极性 NPN
耗散功率 80 W
击穿电压集电极-发射极 100 V
集电极最大允许电流 10A
最小电流放大倍数hFE 4 @10A, 4V
额定功率Max 3 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 65 ℃
耗散功率Max 80000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-218-3
长度 15.2 mm
宽度 4.9 mm
高度 12.2 mm
封装 TO-218-3
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
BD245C-S Bourns J.W. Miller 伯恩斯 | 当前型号 | 当前型号 |
BD245C 伯恩斯 | 类似代替 | BD245C-S和BD245C的区别 |
BDT61C-S 伯恩斯 | 功能相似 | BD245C-S和BDT61C-S的区别 |
BD707 意法半导体 | 功能相似 | BD245C-S和BD707的区别 |