BD250C-S参数规格_中文资料_数据手册PDF

BD250C-S概述

SOT-93 PNP 100V 25A

Bipolar BJT Transistor PNP 100V 25A 3W Through Hole SOT-93

得捷:
TRANS PNP 100V 25A SOT93

艾睿:
Trans GP BJT PNP 100V 25A 3-Pin3+Tab SOT-93

TME:
Transistor: bipolar, PNP; 100V; 25A; 125W; SOT93

Win Source:
TRANS PNP 100V 25A

BD250C-S中文资料参数规格

技术参数

频率 3 MHz

额定功率 125 W

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 100 V

集电极最大允许电流 25A

最小电流放大倍数hFE 5 @25A, 4V

额定功率Max 3 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 3 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-218-3

外形尺寸

封装 TO-218-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BD250C-S

型号： BD250C-S

制造商： Bourns J.W. Miller 伯恩斯

描述：SOT-93 PNP 100V 25A

替代型号BD250C-S