BC638参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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BC638概述

PNP外延硅晶体管 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

SWITCHING AND AMPLIFIER APPLICATIONS

·Complement to BC635/637/639

得捷:
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR

艾睿:
Trans GP BJT PNP 60V 1A 3-Pin TO-92 Bulk

BC638中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -60.0 V

额定电流 -1.00 A

击穿电压集电极-发射极 60 V

最小电流放大倍数hFE 40 @150mA, 2V

额定功率Max 1 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-226-3

外形尺寸

封装 TO-226-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买BC638

型号： BC638

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：PNP外延硅晶体管 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

替代型号BC638

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
BC638 Fairchild 飞兆/仙童	当前型号	当前型号
BC33725TA 安森美	功能相似	BC638和BC33725TA的区别
BC337-40 Diotec Semiconductor	功能相似	BC638和BC337-40的区别
BC33725BU 安森美	功能相似	BC638和BC33725BU的区别