NPN硅晶体管 NPN Silicon Transistor
- 双极 BJT - 单 NPN 60MHz 表面贴装型 SOT-223
得捷:
TRANS NPN 300V 0.1A SOT223
贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT 100mA 300V NPN
艾睿:
Trans GP BJT NPN 300V 0.1A 1500mW 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R
额定电压DC 300 V
额定电流 100 mA
极性 NPN
耗散功率 1.5 mW
击穿电压集电极-发射极 300 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 50 @25mA, 20V
额定功率Max 1.5 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 1500 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 TO-261-4
长度 6.5 mm
宽度 3.5 mm
高度 1.57 mm
封装 TO-261-4
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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BF720T3G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
BF720T1G 安森美 | 类似代替 | BF720T3G和BF720T1G的区别 |