BC546参数规格_中文资料_数据手册PDF

BC546概述

NPN外延硅晶体管 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

Bipolar BJT Transistor NPN 65V 100mA 300MHz 500mW Through Hole TO-92-3

得捷:
TRANS NPN 65V 100MA TO92-3

贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN 65V 100mA HFE/8

艾睿:
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 3-Pin TO-92 Bulk

Verical:
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 3-Pin TO-92 Bulk

BC546中文资料参数规格

技术参数

频率 300 MHz

额定电压DC 65.0 V

额定电流 100 mA

极性 NPN

耗散功率 0.5 W

击穿电压集电极-发射极 65 V

最小电流放大倍数hFE 110 @2mA, 5V

额定功率Max 500 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-92-3

外形尺寸

长度 5.2 mm

宽度 4.19 mm

高度 5.33 mm

封装 TO-92-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买BC546

型号： BC546

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：NPN外延硅晶体管 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

替代型号BC546