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BDX53BTU概述

达林顿晶体管 NPN Si Transistor Epitaxial

Bipolar BJT Transistor NPN - Darlington 80V 8A 60W Through Hole TO-220-3

得捷:
TRANS NPN DARL 80V 8A TO220-3

贸泽:
达林顿晶体管 NPN Si Transistor Epitaxial

BDX53BTU中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 80.0 V

额定电流 8.00 A

极性 NPN

耗散功率 60 W

击穿电压集电极-发射极 80 V

集电极最大允许电流 8A

最小电流放大倍数hFE 750 @3A, 3V

额定功率Max 60 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 60000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.1 mm

宽度 4.7 mm

高度 9.4 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Rail

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买BDX53BTU

型号： BDX53BTU

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：达林顿晶体管 NPN Si Transistor Epitaxial

替代型号BDX53BTU