BD249-S参数规格_中文资料_数据手册PDF

BD249-S概述

NPN硅功率晶体管 NPN SILICON POWER TRANSISTORS

Bipolar BJT Transistor NPN 45V 25A 3W Through Hole SOT-93

得捷:
TRANS NPN 45V 25A SOT93

贸泽:
Bipolar Transistors - BJT 45V 25A NPN

艾睿:
Trans GP BJT NPN 45V 25A 3-Pin3+Tab SOT-93

BD249-S中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN

耗散功率 125 W

击穿电压集电极-发射极 45 V

集电极最大允许电流 25A

最小电流放大倍数hFE 10 @15A, 4V

额定功率Max 3 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 65 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-218-3

外形尺寸

长度 15.2 mm

宽度 4.9 mm

高度 12.2 mm

封装 TO-218-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BD249-S

型号： BD249-S

制造商： Bourns J.W. Miller 伯恩斯

描述：NPN硅功率晶体管 NPN SILICON POWER TRANSISTORS

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替代型号BD249-S

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