BDT60B-S参数规格_中文资料_数据手册PDF

BDT60B-S概述

TO-220 PNP 100V 4A

Bipolar BJT Transistor PNP - Darlington 100V 4A 2W Through Hole TO-220

得捷:
TRANS PNP DARL 100V 4A TO220

艾睿:
Trans Darlington PNP 100V 4A 3-Pin3+Tab TO-220

BDT60B-S中文资料参数规格

技术参数

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 100 V

集电极最大允许电流 4A

最小电流放大倍数hFE 750 @1.5A, 3V

额定功率Max 2 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BDT60B-S

型号： BDT60B-S

制造商： Bourns J.W. Miller 伯恩斯

描述：TO-220 PNP 100V 4A