BSR58LT1

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BSR58LT1中文资料参数规格
技术参数

极性 N-Channel

耗散功率 350 mW

栅源击穿电压 40.0 V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 350 mW

封装参数

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

高度 0.94 mm

封装 SOT-23-3

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买BSR58LT1
型号: BSR58LT1
制造商: ON Semiconductor 安森美
描述:JFET断路器晶体管N通道 - 耗尽 JFET Chopper Transistor N−Channel − Depletion
替代型号BSR58LT1
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

BSR58LT1

ON Semiconductor 安森美

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BSR58LT1和BSR58LT1G的区别

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