极性 N-Channel
耗散功率 350 mW
栅源击穿电压 40.0 V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 350 mW
引脚数 3
封装 SOT-23-3
高度 0.94 mm
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
数据手册
BSR58LT1
ON Semiconductor 安森美
当前型号
BSR58LT1G
安森美
完全替代