BUZ60

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BUZ60中文资料参数规格
技术参数

上升时间 50 ns

输入电容Ciss 780pF @25VVds

下降时间 70 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 75000 mW

封装参数

引脚数 3

封装 TO-220

外形尺寸

封装 TO-220

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

数据手册

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型号: BUZ60
制造商: Infineon 英飞凌
描述:SIPMOS功率晶体管 SIPMOS Power Transistor
替代型号BUZ60
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