BUZ80

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BUZ80中文资料参数规格
技术参数

上升时间 65 ns

输入电容Ciss 900pF @25VVds

下降时间 65 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 100000 mW

封装参数

引脚数 3

封装 TO-220

外形尺寸

封装 TO-220

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: BUZ80
制造商: Infineon 英飞凌
描述:SIPMOS大功率晶体管(N沟道增强型雪崩额定) SIPMOS Power Transistor N channel Enhancement mode Avalanche-rated

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