BUZ81

BUZ81图片1
BUZ81中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

漏源极电压Vds 800 V

连续漏极电流Ids 4A

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220

外形尺寸

封装 TO-220

其他

产品生命周期 Obsolete

数据手册

在线购买BUZ81
型号: BUZ81
制造商: Infineon 英飞凌
描述:SIPMOS大功率晶体管(N沟道增强型雪崩额定) SIPMOS Power Transistor N channel Enhancement mode Avalanche-rated
替代型号BUZ81
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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