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BSO203PNTMA1概述

DSO P-CH 20V 8.2A

MOSFET - 阵列 2 个 P 沟道（双） 20V 8.2A 2W 表面贴装型 P-DSO-8

得捷:
MOSFET 2P-CH 20V 8.2A 8SOIC

艾睿:
Trans MOSFET P-CH 20V 8.2A 8-Pin DSO T/R

BSO203PNTMA1中文资料参数规格

技术参数

极性 P-CH

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 8.2A

输入电容Ciss 2242pF @15VVds

额定功率Max 2 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 P-DSO-8

外形尺寸

封装 P-DSO-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买BSO203PNTMA1

型号： BSO203PNTMA1

制造商： Infineon 英飞凌

描述：DSO P-CH 20V 8.2A

替代型号BSO203PNTMA1

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

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Infineon 英飞凌

当前型号

当前型号

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