BSC152N10NSFGATMA1参数规格_中文资料_数据手册PDF

BSC152N10NSFGATMA1概述

TDSON N-CH 100V 9.4A

N-Channel 100V 9.4A Ta, 63A Tc 114W Tc Surface Mount PG-TDSON-8-1

得捷:
MOSFET N-CH 100V 9.4A/63A TDSON

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A 8-Pin TDSON EP T/R

BSC152N10NSFGATMA1中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 114W Tc

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 9.4A

上升时间 24 ns

输入电容Ciss 1900pF @50VVds

下降时间 6 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 114W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PG-TDSON-8

外形尺寸

封装 PG-TDSON-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BSC152N10NSFGATMA1

型号： BSC152N10NSFGATMA1

描述：TDSON N-CH 100V 9.4A

替代型号BSC152N10NSFGATMA1

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
BSC152N10NSFGATMA1 Infineon 英飞凌	当前型号	当前型号
BSC160N10NS3GATMA1 英飞凌	类似代替	BSC152N10NSFGATMA1和BSC160N10NS3GATMA1的区别
FDMS3662 飞兆/仙童	功能相似	BSC152N10NSFGATMA1和FDMS3662的区别
FDMS86150 飞兆/仙童	功能相似	BSC152N10NSFGATMA1和FDMS86150的区别