BS170RLRMG概述
小信号MOSFET 500毫安， 60伏特N沟道TO- 92 （ TO- 226 ） Small Signal MOSFET 500 mA, 60 Volts N−Channel TO−92 TO−226
通孔 N 通道 60 V 500mA（Ta） 350mW（Ta） TO-92（TO-226）
得捷:
MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
贸泽:
MOSFET 60V 500mA N-Channel
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
Win Source:
Small Signal MOSFET 500 mA, 60 Volts N−Channel TO−92 TO−226
BS170RLRMG中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 60.0 V
额定电流 500 mA
通道数 1
漏源极电阻 5 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 350 mW
输入电容 60.0 pF
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 500 mA
输入电容Ciss 60pF @10VVds
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 350mW Ta
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-92-3
外形尺寸
长度 5.2 mm
宽度 4.19 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-92-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买BS170RLRMG
型号： BS170RLRMG
制造商：
ON Semiconductor
安森美
描述：小信号MOSFET 500毫安， 60伏特N沟道TO- 92 （ TO- 226 ） Small Signal MOSFET 500 mA, 60 Volts N−Channel TO−92 TO−226