BRL2012T1R0M

BRL2012T1R0M图片1
BRL2012T1R0M图片2
BRL2012T1R0M图片3
BRL2012T1R0M图片4
BRL2012T1R0M图片5
BRL2012T1R0M图片6
BRL2012T1R0M图片7
BRL2012T1R0M概述

TAIYO YUDEN  BRL2012T1R0M  电感, 1uH, 850MA, 20%, 300MHZ, SMD

无屏蔽 绕线 器 175.5 毫欧最大 0805(2012 公制)


得捷:
FIXED IND 1UH 850MA 175.5MOHM SM


立创商城:
1uH ±20% 175.5mΩ


艾睿:
Inductor Power Chip Wirewound 1uH 20% 7.96MHz Ferrite 0.85A 0.1755Ohm DCR 0805 T/R


Chip1Stop:
Inductor Power Chip Wirewound 1uH 20% 7.96MHz Ferrite 850mA 175.5mOhm DCR 0805 T/R


Verical:
Inductor Power Chip Wirewound 1uH 20% 7.96MHz Ferrite 0.85A 0.1755Ohm DCR 0805 T/R


Newark:
# TAIYO YUDEN  BRL2012T1R0M  Surface Mount High Frequency Inductor, BR Series, 1 µH, 850 mA, 0805 [2012 Metric], Wirewound


Electro Sonic:
Inductor Power Chip Wirewound 1uH 20% 7.96MHz Ferrite 0.85A 0.1755Ohm DCR 0805 T/R


Win Source:
1μH Unshielded Wirewound Inductor 850mA 175.5 mOhm Max 0805 2012 Metric


BRL2012T1R0M中文资料参数规格
技术参数

额定电流 850 mA

容差 ±20 %

无卤素状态 Halogen Free

电感 1 µH

自谐频率 300 MHz

产品系列 BR

电感公差 ±20 %

测试频率 7.96 MHz

电阻DC) ≤175.5 mΩ

额定电流DC 850 mA

工作温度Max 105 ℃

工作温度Min -40 ℃

电阻DC Max 0.135 Ω

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装公制 2012

封装 0805

外形尺寸

长度 2 mm

宽度 1.25 mm

高度 1 mm

封装公制 2012

封装 0805

物理参数

触点材质 Copper Alloy

工作温度 -40℃ ~ 105℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

最小包装 3000

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

BRL2012T1R0M引脚图与封装图
BRL2012T1R0M引脚图
BRL2012T1R0M封装图
BRL2012T1R0M封装焊盘图
在线购买BRL2012T1R0M
型号: BRL2012T1R0M
描述:TAIYO YUDEN  BRL2012T1R0M  电感, 1uH, 850MA, 20%, 300MHZ, SMD

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台