BC859CW,115

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BC859CW,115概述

NXP  BC859CW,115  单晶体管 双极, PNP, -30 V, 100 MHz, 200 mW, -100 mA, 420 hFE

The is a PNP General Purpose Transistor in a plastic package. It is suitable for use with low noise stages in tape recorders, hi-fi amplifiers and other audio-frequency equipment.

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NPN complements are BC849W and BC850W
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4C Marking code

得捷:
NOW NEXPERIA BC859CW - SMALL SIG


欧时:
### 小信号 PNP 晶体管,NXP### 双极性晶体管,NXP Semiconductors


艾睿:
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A Automotive 3-Pin SC-70 T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 3-Pin SC-70 T/R


Verical:
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A Automotive 3-Pin SC-70 T/R


Newark:
# NXP  BC859CW,115  Bipolar BJT Single Transistor, PNP, -30 V, 100 MHz, 200 mW, -100 mA


DeviceMart:
TRANSISTOR PNP 30V 100MA SOT323


Win Source:
TRANS PNP 30V 0.1A SOT323


BC859CW,115中文资料参数规格
技术参数

频率 100 MHz

针脚数 3

极性 PNP

耗散功率 200 mW

击穿电压集电极-发射极 30 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 420 @2mA, 5V

额定功率Max 200 mW

直流电流增益hFE 420

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-323-3

外形尺寸

长度 2.2 mm

宽度 1.35 mm

高度 1 mm

封装 SOT-323-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Consumer Electronics, Industrial, Power Management, Audio

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买BC859CW,115
型号: BC859CW,115
制造商: NXP 恩智浦
描述:NXP  BC859CW,115  单晶体管 双极, PNP, -30 V, 100 MHz, 200 mW, -100 mA, 420 hFE
替代型号BC859CW,115
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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BC859CW,115和BC859CW,135的区别

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