BC868,115

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BC868,115概述

NXP  BC868,115  单晶体管 双极, NPN, 20 V, 170 MHz, 500 mW, 2 A, 40 hFE

The is a 2A NPN Medium Power Transistor housed in a surface-mount plastic package. It offers exposed heat-sink for excellent thermal and electrical conductivity.

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High current
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Two current gain selections
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High power dissipation capability
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CAC marking code
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BC869 PNP complement
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AEC-Q101 qualified
BC868,115中文资料参数规格
技术参数

频率 170 MHz

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 500 mW

击穿电压集电极-发射极 20 V

集电极最大允许电流 2A

最小电流放大倍数hFE 85 @500mA, 1V

最大电流放大倍数hFE 50 @5mA, 10V

额定功率Max 1.2 W

直流电流增益hFE 40

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1.35 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-89-3

外形尺寸

长度 4.6 mm

宽度 2.6 mm

高度 1.6 mm

封装 SOT-89-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, Automotive, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买BC868,115
型号: BC868,115
制造商: NXP 恩智浦
描述:NXP  BC868,115  单晶体管 双极, NPN, 20 V, 170 MHz, 500 mW, 2 A, 40 hFE
替代型号BC868,115
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