BSC011N03LS

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BSC011N03LS概述

INFINEON  BSC011N03LS  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 30 V, 0.0009 ohm, 10 V, 2 V

OptiMOS™ 功率 MOSFET 系列

OptiMOS™ 产品提供高性能封装,可处理最具挑战性的应用,在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。

N 通道 - 增强模式

符合汽车 AEC Q101 规格

MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接

175°C 工作温度

绿色封装(无铅)

超低 Rdson


立创商城:
N沟道 30V 37A


欧时:
### Infineon OptiMOS™ 功率 MOSFET 系列OptiMOS™ 产品提供高性能封装,可处理最具挑战性的应用,在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。 N 通道 - 增强模式 符合汽车 AEC Q101 规格 MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接 175°C 工作温度 绿色封装(无铅) 超低 Rdson ### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R


儒卓力:
**MOSFET 30V 100A 1.1mOHM SSO8 **


罗切斯特:
Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP


力源芯城:
30V,100A功率MOSFET


DeviceMart:
MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON


Win Source:
MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON


BSC011N03LS中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 8

漏源极电阻 0.0009 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 96 W

阈值电压 2 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 37A

上升时间 8.8 ns

输入电容Ciss 4700pF @15VVds

额定功率Max 96 W

下降时间 6.2 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.5W Ta, 96W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PG-TDSON-8

外形尺寸

长度 6.1 mm

宽度 5.15 mm

高度 1.1 mm

封装 PG-TDSON-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Onboard charger, Mainboard, VRD/VRM

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买BSC011N03LS
型号: BSC011N03LS
描述:INFINEON  BSC011N03LS  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 30 V, 0.0009 ohm, 10 V, 2 V
替代型号BSC011N03LS
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