BSV236SP H6327中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
极性 P-Channel
耗散功率 560 mW
阈值电压 1.2 V
漏源极电压Vds 20 V
上升时间 8.5 ns
输入电容Ciss 228pF @15VVds
额定功率Max 560 mW
下降时间 12.2 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 560 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-363-6
外形尺寸
长度 2.00 mm
宽度 1.25 mm
高度 0.90 mm
封装 SOT-363-6
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Automotive
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
在线购买BSV236SP H6327
型号： BSV236SP H6327
制造商：
Infineon
英飞凌
描述：INFINEON BSV236SP H6327 场效应管, MOSFET, P沟道, -20V, -1.5A, SOT-363-6