B82422A3331K108参数规格_中文资料_数据手册PDF

B82422A3331K108概述

Ind Chip Molded Wirewound 330nH 10% 1MHz 22Q-Factor Ceramic 200mA 1210 Blister T/R

330nH Unshielded Wirewound Inductor 200mA 1.3Ohm Max 2-SMD, J-Lead

B82422A3331K108中文资料参数规格

技术参数

额定电流 200 mA

自谐频率 580 MHz

封装参数

封装 3225

外形尺寸

封装 3225

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买B82422A3331K108

型号： B82422A3331K108

制造商： Epcos 爱普科斯

描述：Ind Chip Molded Wirewound 330nH 10% 1MHz 22Q-Factor Ceramic 200mA 1210 Blister T/R