为8K ×8非易失性SRAM （ 5 V ， 3.3 V ） 8 k x 8 NONVOLATILE SRAM 5 V, 3.3 V
NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 64Kb（8K x 8） 并联 28-DIP 模块（18.42x37.72）
得捷:
IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP
贸泽:
NVRAM 8Kx8 Nonvolatile SRAM
艾睿:
NVRAM NVSRAM Parallel 64Kbit 5V 28-Pin DIP Module
安富利:
NVRAM NVSRAM Parallel 64K-Bit 5V 28-Pin DIP Module
Chip1Stop:
NVRAM NVSRAM Parallel 64K-Bit 5V 28-Pin DIP Module
Verical:
NVRAM NVSRAM Parallel 64Kbit 5V 28-Pin DIP Module
Win Source:
IC NVSRAM 64KBIT 150NS 28DIP
电源电压DC 5.00 V
供电电流 50 mA
存取时间 150 ns
存取时间Max 150 ns
工作温度Max 70 ℃
工作温度Min 0 ℃
电源电压 4.5V ~ 5.5V
电源电压Max 5.5 V
电源电压Min 4.5 V
安装方式 Through Hole
引脚数 28
封装 DIP-28
长度 37.72 mm
宽度 18.42 mm
高度 9.4 mm
封装 DIP-28
工作温度 0℃ ~ 70℃ TA
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
BQ4010YMA-150 TI 德州仪器 | 当前型号 | 当前型号 |
M48Z58Y-70PC1 意法半导体 | 功能相似 | BQ4010YMA-150和M48Z58Y-70PC1的区别 |
DS1225AD-150+ 美信 | 功能相似 | BQ4010YMA-150和DS1225AD-150+的区别 |
DS1225AD-200+ 美信 | 功能相似 | BQ4010YMA-150和DS1225AD-200+的区别 |