BQ4010YMA-70参数规格_中文资料_数据手册PDF

BQ4010YMA-70概述

8Kx8非易失SRAM 8Kx8 Nonvolatile SRAM

NVSRAM（非易失性 SRAM）存储器 IC 64Kb（8K x 8）并联 28-DIP 模块（18.42x37.72）

得捷:
IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP

艾睿:
NVRAM NVSRAM Parallel 64Kbit 5V 28-Pin DIP Module

力源芯城:
8k x 8 非易失性 SRAM,10% 电压容限

BQ4010YMA-70中文资料参数规格

技术参数

电源电压DC 5.00 V

时钟频率 70.0 GHz

存取时间 70.0 ns

内存容量 8000 B

存取时间Max 70 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 4.5V ~ 5.5V

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 28

封装 DIP-28

外形尺寸

封装 DIP-28

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

BQ4010YMA-70引脚图与封装图

在线购买BQ4010YMA-70

型号： BQ4010YMA-70

描述：8Kx8非易失SRAM 8Kx8 Nonvolatile SRAM

替代型号BQ4010YMA-70