BQ4010LYMA-70N

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BQ4010LYMA-70N中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 3.30 V

供电电流 30 mA

存取时间 70.0 ns

内存容量 8000 B

存取时间Max 70 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 3.3 V

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 28

封装 DIP

外形尺寸

封装 DIP

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买BQ4010LYMA-70N
型号: BQ4010LYMA-70N
制造商: TI 德州仪器
描述:为8K ×8非易失性SRAM ( 5 V , 3.3 V ) 8 k x 8 NONVOLATILE SRAM 5 V, 3.3 V
替代型号BQ4010LYMA-70N
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

BQ4010LYMA-70N

TI 德州仪器

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