BQ4013MA-85参数规格_中文资料_数据手册PDF

BQ4013MA-85概述

128的K× 8非易失性SRAM （ 5 V ， 3.3 V ） 128 k X 8 NONVOLATILE SRAM 5 V, 3.3 V

NVSRAM Non-Volatile SRAM Memory IC 1Mb 128K x 8 Parallel 85ns 32-DIP Module 18.42x42.8

得捷:
IC NVSRAM 1MBIT PAR 32DIP MODULE

贸泽:
NVRAM 128Kx8 Nonvolatile SRAM

艾睿:
NVRAM NVSRAM Parallel 1Mbit 5V 32-Pin DIP Module

Chip1Stop:
NVRAM NVSRAM Parallel 1M-Bit 5V 32-Pin DIP Module

Verical:
NVRAM NVSRAM Parallel 1Mbit 5V 32-Pin DIP Module

BQ4013MA-85中文资料参数规格

技术参数

电源电压DC 5.00 V

供电电流 50 mA

存取时间 85 ns

内存容量 125000 B

存取时间Max 85 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 4.75V ~ 5.5V

电源电压Max 5.5 V

电源电压Min 4.75 V

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 32

封装 DIP-32

外形尺寸

长度 42.8 mm

宽度 18.42 mm

高度 9.4 mm

封装 DIP-32

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

BQ4013MA-85引脚图与封装图

在线购买BQ4013MA-85

型号： BQ4013MA-85

描述：128的K× 8非易失性SRAM （ 5 V ， 3.3 V ） 128 k X 8 NONVOLATILE SRAM 5 V, 3.3 V

替代型号BQ4013MA-85