BQ4010YMA-70N

BQ4010YMA-70N图片1
BQ4010YMA-70N图片2
BQ4010YMA-70N图片3
BQ4010YMA-70N概述

8Kx8非易失SRAM 8Kx8 Nonvolatile SRAM

NVSRAM(非易失性 SRAM) 存储器 IC 64Kb(8K x 8) 并联 28-DIP 模块(18.42x37.72)


得捷:
IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP


贸泽:
NVRAM 8Kx8 Nonvolatile SRAM


艾睿:
NVRAM NVSRAM Parallel 64Kbit 5V 28-Pin DIP Module


Chip1Stop:
NVRAM NVSRAM Parallel 64K-Bit 5V 28-Pin DIP Module


Verical:
NVRAM NVSRAM Parallel 64Kbit 5V 28-Pin DIP Module


BQ4010YMA-70N中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 5.00 V

供电电流 50 mA

存取时间 70 ns

存取时间Max 70 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 4.5V ~ 5.5V

电源电压Max 5.5 V

电源电压Min 4.5 V

封装参数

引脚数 28

封装 DIP-28

外形尺寸

长度 37.72 mm

宽度 18.42 mm

高度 9.4 mm

封装 DIP-28

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

BQ4010YMA-70N引脚图与封装图
BQ4010YMA-70N引脚图
BQ4010YMA-70N封装图
BQ4010YMA-70N封装焊盘图
在线购买BQ4010YMA-70N
型号: BQ4010YMA-70N
制造商: TI 德州仪器
描述:8Kx8非易失SRAM 8Kx8 Nonvolatile SRAM
替代型号BQ4010YMA-70N
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

BQ4010YMA-70N

TI 德州仪器

当前型号

当前型号

M48Z58-70PC1

意法半导体

功能相似

BQ4010YMA-70N和M48Z58-70PC1的区别

M48Z58Y-70PC1

意法半导体

功能相似

BQ4010YMA-70N和M48Z58Y-70PC1的区别

DS1225AD-70IND+

美信

功能相似

BQ4010YMA-70N和DS1225AD-70IND+的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台