BQ4013YMA-70N参数规格_中文资料_数据手册PDF

BQ4013YMA-70N概述

128Kx8非易失SRAM 128Kx8 Nonvolatile SRAM

NVSRAM Non-Volatile SRAM Memory IC 1Mb 128K x 8 Parallel 70ns 32-DIP Module 18.42x42.8

得捷:
IC NVSRAM 1MBIT PAR 32DIP MODULE

贸泽:
NVRAM 128Kx8 Nonvolatile SRAM

艾睿:
NVRAM NVSRAM Parallel 1Mbit 5V 32-Pin DIP Module

安富利:
NVRAM NVSRAM Parallel 1M-Bit 5V 32-Pin DIP Module

Chip1Stop:
NVRAM NVSRAM Parallel 1M-Bit 5V 32-Pin DIP Module

Verical:
NVRAM NVSRAM Parallel 1Mbit 5V 32-Pin DIP Module

力源芯城:
128k x 8 非易失性 SRAM,10% 电压容限

BQ4013YMA-70N中文资料参数规格

技术参数

电源电压DC 5.00 V

供电电流 50 mA

时钟频率 70.0 GHz

存取时间 70 ns

内存容量 125000 B

存取时间Max 70 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 4.5V ~ 5.5V

电源电压Max 5.5 V

电源电压Min 4.5 V

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 32

封装 DIP-32

外形尺寸

长度 42.8 mm

宽度 18.42 mm

高度 9.4 mm

封装 DIP-32

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

BQ4013YMA-70N引脚图与封装图

在线购买BQ4013YMA-70N

型号： BQ4013YMA-70N

制造商： TI 德州仪器

描述：128Kx8非易失SRAM 128Kx8 Nonvolatile SRAM

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替代型号BQ4013YMA-70N

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
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