BQ4013YMA-120参数规格_中文资料_数据手册PDF

BQ4013YMA-120概述

128Kx8非易失SRAM 128Kx8 Nonvolatile SRAM

NVSRAM Non-Volatile SRAM Memory IC 1Mb 128K x 8 Parallel 120ns 32-DIP Module 18.42x42.8

得捷:
IC NVSRAM 1MBIT PAR 32DIP MODULE

艾睿:
NVRAM NVSRAM Parallel 1Mbit 5V 32-Pin DIP Module

Chip1Stop:
NVRAM NVSRAM Parallel 1M-Bit 5V 32-Pin DIP Module

Verical:
NVRAM NVSRAM Parallel 1Mbit 5V 32-Pin DIP Module

DeviceMart:
IC NVSRAM 1MBIT 120NS 32DIP

BQ4013YMA-120中文资料参数规格

技术参数

电源电压DC 5.00 V

供电电流 50 mA

存取时间 120 ns

内存容量 125000 B

存取时间Max 120 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 4.5V ~ 5.5V

电源电压Max 5.5 V

电源电压Min 4.5 V

封装参数

引脚数 32

封装 DIP-32

外形尺寸

宽度 18.42 mm

封装 DIP-32

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

BQ4013YMA-120引脚图与封装图

在线购买BQ4013YMA-120

型号： BQ4013YMA-120

描述：128Kx8非易失SRAM 128Kx8 Nonvolatile SRAM

替代型号BQ4013YMA-120