BQ4013LYMA-70N

BQ4013LYMA-70N图片1
BQ4013LYMA-70N图片2
BQ4013LYMA-70N图片3
BQ4013LYMA-70N中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 3.30 V

供电电流 50 mA

存取时间 70 ns

内存容量 125000 B

存取时间Max 70 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 3.3 V

封装参数

引脚数 32

封装 DIP-32

外形尺寸

长度 42.8 mm

宽度 18.42 mm

高度 9.4 mm

封装 DIP-32

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 PB free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买BQ4013LYMA-70N
型号: BQ4013LYMA-70N
制造商: TI 德州仪器
描述:128的K× 8非易失性SRAM ( 5 V , 3.3 V ) 128 k X 8 NONVOLATILE SRAM 5 V, 3.3 V
替代型号BQ4013LYMA-70N
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

BQ4013LYMA-70N

TI 德州仪器

当前型号

当前型号

M48Z129V-70PM1

意法半导体

功能相似

BQ4013LYMA-70N和M48Z129V-70PM1的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台