BQ4016YMC-70参数规格_中文资料_数据手册PDF

BQ4016YMC-70概述

1024k x 8 非易失性 SRAM,10% 电压容限

NVSRAM Non-Volatile SRAM Memory IC 8Mb 1M x 8 Parallel 70ns 36-DIP Module 18.42x52.96

得捷:
IC NVSRAM 8MBIT PAR 36DIP MODULE

艾睿:
NVRAM NVSRAM Parallel 8Mbit 5V 36-Pin DIP Module

Chip1Stop:
NVRAM NVSRAM Parallel 8M-Bit 5V 36-Pin DIP Module

Verical:
NVRAM NVSRAM Parallel 8Mbit 5V 36-Pin DIP Module

力源芯城:
1024k x 8 非易失性 SRAM,10% 电压容限

BQ4016YMC-70中文资料参数规格

技术参数

电源电压DC 5.00 V, 5.50 V max

供电电流 115 mA

时钟频率 70.0 GHz

存取时间 70.0 ns

内存容量 8000000 B

存取时间Max 70 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 4.5V ~ 5.5V

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 36

封装 DIP-36

外形尺寸

封装 DIP-36

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

香港进出口证 NLR

数据手册

BQ4016YMC-70引脚图与封装图

在线购买BQ4016YMC-70

型号： BQ4016YMC-70

描述：1024k x 8 非易失性 SRAM,10% 电压容限

替代型号BQ4016YMC-70