BQ4010YMA-85N参数规格_中文资料_数据手册PDF

BQ4010YMA-85N概述

为8K ×8非易失性SRAM （ 5 V ， 3.3 V ） 8 k x 8 NONVOLATILE SRAM 5 V, 3.3 V

NVSRAM（非易失性 SRAM）存储器 IC 64Kb（8K x 8）并联 28-DIP 模块（18.42x37.72）

得捷:
IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP

艾睿:
NVRAM NVSRAM Parallel 64Kbit 5V 28-Pin DIP Module

Chip1Stop:
NVRAM NVSRAM Parallel 64K-Bit 5V 28-Pin DIP Module

Verical:
NVRAM NVSRAM Parallel 64Kbit 5V 28-Pin DIP Module

Win Source:
IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP / NVSRAM Non-Volatile SRAM Memory IC 64Kb 8K x 8 Parallel 85 ns 28-DIP Module 18.42x37.72

BQ4010YMA-85N中文资料参数规格

技术参数

电源电压DC 5.00 V

供电电流 50 mA

存取时间 85 ns

存取时间Max 85 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 4.5V ~ 5.5V

电源电压Max 5.5 V

电源电压Min 4.5 V

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 28

封装 DIP-28

外形尺寸

封装 DIP-28

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

BQ4010YMA-85N引脚图与封装图

在线购买BQ4010YMA-85N

型号： BQ4010YMA-85N

描述：为8K ×8非易失性SRAM （ 5 V ， 3.3 V ） 8 k x 8 NONVOLATILE SRAM 5 V, 3.3 V

替代型号BQ4010YMA-85N