BQ4011MA-150

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BQ4011MA-150概述

32Kx8非易失SRAM 32Kx8 Nonvolatile SRAM

NVSRAM(非易失性 SRAM) 存储器 IC 256Kb(32K x 8) 并联 28-DIP 模块(18.42x37.72)


得捷:
IC NVSRAM 256KBIT PARALLEL 28DIP


艾睿:
NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin DIP Module


Chip1Stop:
NVRAM NVSRAM Parallel 256K-Bit 5V 28-Pin DIP Module


Verical:
NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin DIP Module


Win Source:
IC NVSRAM 256KBIT PARALLEL 28DIP / NVSRAM Non-Volatile SRAM Memory IC 256Kb 32K x 8 Parallel 150 ns 28-DIP Module 18.42x37.72


BQ4011MA-150中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 5.00 V

供电电流 50 mA

存取时间 150 ns

存取时间Max 150 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 4.75V ~ 5.5V

电源电压Max 5.5 V

电源电压Min 4.75 V

封装参数

引脚数 28

封装 DIP-28

外形尺寸

宽度 18.42 mm

封装 DIP-28

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

BQ4011MA-150引脚图与封装图
BQ4011MA-150引脚图
BQ4011MA-150封装图
BQ4011MA-150封装焊盘图
在线购买BQ4011MA-150
型号: BQ4011MA-150
制造商: TI 德州仪器
描述:32Kx8非易失SRAM 32Kx8 Nonvolatile SRAM

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