BQ4010MA-85参数规格_中文资料_数据手册PDF

BQ4010MA-85概述

8Kx8非易失SRAM 8Kx8 Nonvolatile SRAM

NVSRAM（非易失性 SRAM）存储器 IC 64Kb（8K x 8）并联 28-DIP 模块（18.42x37.72）

得捷:
IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP

贸泽:
NVRAM 8Kx8 Nonvolatile SRAM

艾睿:
NVRAM NVSRAM Parallel 64Kbit 5V 28-Pin DIP Module

Chip1Stop:
NVRAM NVSRAM Parallel 64K-Bit 5V 28-Pin DIP Module

Verical:
NVRAM NVSRAM Parallel 64Kbit 5V 28-Pin DIP Module

BQ4010MA-85中文资料参数规格

技术参数

电源电压DC 5.00 V

供电电流 50 mA

时钟频率 85.0 GHz

存取时间 85 ns

内存容量 64000 B

存取时间Max 85 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 4.75V ~ 5.5V

电源电压Max 5.5 V

电源电压Min 4.75 V

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 28

封装 DIP-28

外形尺寸

长度 37.72 mm

宽度 18.42 mm

高度 9.4 mm

封装 DIP-28

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

BQ4010MA-85引脚图与封装图

在线购买BQ4010MA-85

型号： BQ4010MA-85

制造商： TI 德州仪器

描述：8Kx8非易失SRAM 8Kx8 Nonvolatile SRAM

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替代型号BQ4010MA-85

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