128Kx8非易失SRAM 128Kx8 Nonvolatile SRAM
NVSRAM Non-Volatile SRAM Memory IC 1Mb 128K x 8 Parallel 120ns 32-DIP Module 18.42x42.8
得捷:
IC NVSRAM 1MBIT PAR 32DIP MODULE
贸泽:
NVRAM 128Kx8 Nonvolatile SRAM
艾睿:
NVRAM NVSRAM Parallel 1Mbit 5V 32-Pin DIP Module
Chip1Stop:
NVRAM NVSRAM Parallel 1M-Bit 5V 32-Pin DIP Module
Verical:
NVRAM NVSRAM Parallel 1Mbit 5V 32-Pin DIP Module
Win Source:
IC NVSRAM 1MBIT 120NS 32DIP
电源电压DC 5.00 V
供电电流 50 mA
存取时间 120 ns
存取时间Max 120 ns
工作温度Max 70 ℃
工作温度Min 0 ℃
电源电压 4.75V ~ 5.5V
电源电压Max 5.5 V
电源电压Min 4.75 V
安装方式 Through Hole
引脚数 32
封装 DIP-32
长度 42.8 mm
宽度 18.42 mm
高度 9.4 mm
封装 DIP-32
工作温度 0℃ ~ 70℃ TA
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
BQ4013MA-120 TI 德州仪器 | 当前型号 | 当前型号 |
DS1245AB-120IND+ 美信 | 功能相似 | BQ4013MA-120和DS1245AB-120IND+的区别 |
DS1245AB-120IND 美信 | 功能相似 | BQ4013MA-120和DS1245AB-120IND的区别 |